置富科技高速硬盤橋接芯片突破進展獲眾多媒體關注報道

九月尾聲，置富科技高速硬盤橋接控制器芯片項目獲突破性進展的消息經美通社曝光后，獲得騰訊網、環球網、中國網、中華財經網、商業觀察網和環球財經網等130多門戶、行業及地方媒體的轉載報道。

置富科技一直致力于存儲底層技術的研發，與清華大學深圳研究生院和杭州華瀾微電子聯合進行了高速硬盤橋接控制器芯片項目，經研究團隊精心設計和研發試驗，此項目的技術已經具備成果轉化條件，將正式轉入應用和成果轉化階段。

此項目所研究的高速芯片支持USB3.1 Type C，后向兼容USB3.0和USB2.0協議規范，傳輸速率最高達到10Gb/s，支持USB超高速、高速及全速模式工作，最高連續讀寫速度可達600MByte/S，突破了傳統接口速度，同時滿足大容量存儲要求，最高存儲容量可達60TB以上，支持國產CPU平臺龍芯、飛騰下的應用和國產操作系統中標麒麟的應用。

研究團隊在USB 3.1傳輸協議的開發上已經具備成果轉化條件，實現流片成功后即可進入市場實現銷售，完成高速硬盤橋接控制芯片的國產化替代。